الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
49A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
11 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.55V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
810pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63