الصانع :
Microchip Technology
وصف :
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
نوع FET :
N and P-Channel
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
-
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
-
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
110pF @ 25V
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد :
8-SOIC