رقم القطعة :
DF2S16CT,L3F
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
الجهد - عكس المواجهة (الطباع) :
12V
الجهد - انهيار (دقيقة) :
15.3V
الجهد - تحامل (ماكس) @ ايب :
-
التيار - ذروة النبض (10/1000) :
-
تطبيقات :
General Purpose
السعة @ التردد :
10pF @ 1MHz
تصاعد نوع :
Surface Mount