الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET P-CH 30V 11A DPAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
11A (Ta), 40A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
20 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
24nC @ 5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1715pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
52W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
TO-252
حزمة / القضية :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63