إذا لم يكن موقعك مدرجًا ، فيرجى تحديد واحد مما يلي:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

إذا لم يكن موقعك مدرجًا ، فيرجى تحديد واحد مما يلي:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. الصفحة الرئيسية
  2. منتجات
  3. الدوائر المتكاملة
  4. ذاكرة
  5. TC58NYG2S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc. - TC58NYG2S0HBAI6

KEY Part #: K938373

TC58NYG2S0HBAI6 التسعير (USD) [20269الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$1.88179
  • 10 pcs$1.70551
رقم القطعة:
TC58NYG2S0HBAI6
الصانع:
Toshiba Memory America, Inc.
وصف مفصل:
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: المنطق - المترجمون ، المغيرون المستوى, PMIC - قياس الطاقة, الحصول على البيانات - المحولات الرقمية إلى التناظر, الصوت الغرض الخاص, المرحلية المتخصصة, PMIC - عرض السائقين, رقائق IC and PMIC - منظمات الفولت - تحكم DC DC التبديل ...
Competitive Advantage:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG2S0HBAI6 electronic components. TC58NYG2S0HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58NYG2S0HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NYG2S0HBAI6 سمات المنتج

رقم القطعة : TC58NYG2S0HBAI6
الصانع : Toshiba Memory America, Inc.
وصف : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الذاكرة : Non-Volatile
تنسيق الذاكرة : FLASH
تقنية : FLASH - NAND (SLC)
حجم الذاكرة : 4Gb (512M x 8)
تردد على مدار الساعة : -
اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : 25ns
وقت الوصول : 25ns
واجهة الذاكرة : Parallel
الجهد - العرض : 1.7V ~ 1.95V
درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 85°C (TA)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : 67-VFBGA
حزمة جهاز المورد : 67-VFBGA (6.5x8)

أحدث الأخبار

Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
قد تكون أيضا مهتما ب
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS61LP6436A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LP6432A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v

أجزاء ساخنة