رقم القطعة :
IRF8252TRPBF-1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 25V 25A
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
25V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
25A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
2.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 100µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
53nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
5305pF @ 13V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)