رقم القطعة :
SISC06DN-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
سلسلة :
TrenchFET® Gen IV
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
27.6A (Ta), 40A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
2.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
58nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2455pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerPAK® 1212-8
حزمة / القضية :
PowerPAK® 1212-8