رقم القطعة :
DMG7401SFGQ-7
الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
9.8A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 20V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
11 mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
58nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2987pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
940mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerDI3333-8
حزمة / القضية :
8-PowerWDFN