رقم القطعة :
RU1E002SPTCL
الصانع :
Rohm Semiconductor
وصف :
MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
250mA (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.4 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
-
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
30pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
200mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount