رقم القطعة :
SIHFS11N50A-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CH 500V 11A TO263
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
500V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
11A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
520 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
52nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1423pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
170W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
TO-263 (D²Pak)
حزمة / القضية :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB