رقم القطعة :
SI4913DY-T1-GE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
نوع FET :
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET :
Logic Level Gate
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
7.1A
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
15 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 500µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
65nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
-
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)