رقم القطعة :
TK60D08J1(Q)
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
75V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
60A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
7.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
86nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
5450pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
140W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-220(W)