رقم القطعة :
IPN50R650CEATMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
500V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
9A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
13V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 150µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
15nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
342pF @ 100V
تبديد الطاقة (ماكس) :
5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PG-SOT223
حزمة / القضية :
SOT-223-3