VS-HFA16TB120SL-M3 التسعير (USD) [51602الأسهم قطعة]
- 1 pcs$0.75772
- رقم القطعة:
- VS-HFA16TB120SL-M3
- وصف مفصل:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1200V 16A IF (TO-263AB) 190A IFSM
- الصانع المهلة القياسية:
- في المخزن
- مدة الصلاحية:
- سنة واحدة
- رقاقة من:
- هونج كونج
- بنفايات:
- طريقة الدفع او السداد:
-
- طريقة الشحن:
- فئات الأسرة:
- KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الثايرستور - TRIACs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات and الثايرستور - DIACs ، SIDACs ...
- Competitive Advantage:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-HFA16TB120SL-M3 electronic components. VS-HFA16TB120SL-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-HFA16TB120SL-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-HFA16TB120SL-M3 سمات المنتج
رقم القطعة :
VS-HFA16TB120SL-M3
الصانع :
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف :
DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK
سلسلة :
HEXFRED®
حالة الجزء :
Active
نوع الصمام الثنائي :
Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) :
1200V
الحالي - متوسط تصحيح (io) :
16A (DC)
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا :
3.93V @ 32A
سرعة :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
135ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي :
20µA @ 1200V
السعة @ Vr ، F :
-
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد :
TO-263AB (D²PAK)
درجة حرارة التشغيل - مفرق :
-55°C ~ 150°C
أحدث الأخبار
قد تكون أيضا مهتما ب
-
VS-8EWF04STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWS10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
-
VS-HFA04SD60SRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-HFA04SD60STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-HFA08SD60STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
أجزاء ساخنة
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54