رقم القطعة :
SI7172ADP-T1-RE3
الصانع :
Vishay Siliconix
وصف :
MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
-
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
50 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.1V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
19.5nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1110pF @ 100V
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 125°C
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PowerPAK® SO-8
حزمة / القضية :
PowerPAK® SO-8