ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43TR16640BL-125JBL

KEY Part #: K939398

وصف مفصل:: IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA. DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: PMIC - شواحن البطارية, واجهة - UARTs (مرسل مستقبل غير متزامن العالمي), المنطق - المنطق التخصصي, ساعة / توقيت - مولدات على مدار الساعة ، PLLs ، تول, واجهة - مسلسلات ، Deserializers, PMIC - قياس الطاقة, PMIC - بوابة السائقين and بطاريات الذاكرة ...

Competitive Advantage:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-125JBL electronic components. IS43TR16640BL-125JBL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43TR16640BL-125JBL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : IS43TR16640BL-125JBL

الصانع : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

وصف : IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الذاكرة : Volatile

تنسيق الذاكرة : DRAM

تقنية : SDRAM - DDR3L

حجم الذاكرة : 1Gb (64M x 16)

تردد على مدار الساعة : 800MHz

اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : 15ns

وقت الوصول : 20ns

واجهة الذاكرة : Parallel

الجهد - العرض : 1.283V ~ 1.45V

درجة حرارة التشغيل : 0°C ~ 95°C (TC)

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة / القضية : 96-TFBGA

حزمة جهاز المورد : 96-TWBGA (9x13)

Silicom MinnowBoard Turbot

قد تكون أيضا مهتما ب

CAV25M01YE-GT3

ON Semiconductor

IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM
W94AD2KBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz
W9864G2JB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp
W632GG8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB12I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.
W632GU8MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

أجزاء ساخنة