Taiwan Semiconductor Corporation - ESH3D M6G

KEY Part #: K6458057

ESH3D M6G التسعير (USD) [838004الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.04414

رقم القطعة:
ESH3D M6G
الصانع:
Taiwan Semiconductor Corporation
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الثنائيات - مقومات الجسر, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, وحدات سائق السلطة, الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات and الثايرستور - TRIACs ...
Competitive Advantage:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ESH3D M6G electronic components. ESH3D M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH3D M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ESH3D M6G سمات المنتج

رقم القطعة : ESH3D M6G
الصانع : Taiwan Semiconductor Corporation
وصف : DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
سلسلة : -
حالة الجزء : Not For New Designs
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 200V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 3A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 900mV @ 3A
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 20ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 5µA @ 200V
السعة @ Vr ، F : 45pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : DO-214AB, SMC
حزمة جهاز المورد : DO-214AB (SMC)
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -55°C ~ 175°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • BYM07-150HE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified

  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM