رقم القطعة :
TK35A08N1,S4X
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
80V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
35A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 300µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
25nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1700pF @ 40V
تبديد الطاقة (ماكس) :
30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-220SIS
حزمة / القضية :
TO-220-3 Full Pack