رقم القطعة :
SSM3J36MFV,L3F
الصانع :
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف :
MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
حالة الجزء :
Discontinued at Digi-Key
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
330mA (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
1.2nC @ 4V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
43pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
150mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount