رقم القطعة :
IRF7701TRPBF
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
12V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
10A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
11 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
100nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
5050pF @ 10V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-TSSOP
حزمة / القضية :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)