Global Power Technologies Group - GP2M012A060F

KEY Part #: K6402573

[2658الأسهم قطعة]


    رقم القطعة:
    GP2M012A060F
    الصانع:
    Global Power Technologies Group
    وصف مفصل:
    MOSFET N-CH 600V 12A TO220F.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - RF, الترانزستورات - JFETs, الثنائيات - السعة المتغيرة (Varicaps ، varactors), الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, وحدات سائق السلطة and الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in Global Power Technologies Group GP2M012A060F electronic components. GP2M012A060F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP2M012A060F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP2M012A060F سمات المنتج

    رقم القطعة : GP2M012A060F
    الصانع : Global Power Technologies Group
    وصف : MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
    سلسلة : -
    حالة الجزء : Obsolete
    نوع FET : N-Channel
    تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
    استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 600V
    الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 12A (Tc)
    جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id، Vgs : 650 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 40nC @ 10V
    Vgs (ماكس) : ±30V
    سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 1890pF @ 25V
    ميزة FET : -
    تبديد الطاقة (ماكس) : 53.4W (Tc)
    درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
    تصاعد نوع : Through Hole
    حزمة جهاز المورد : TO-220F
    حزمة / القضية : TO-220-3 Full Pack

    قد تكون أيضا مهتما ب
    • CPH6354-TL-H

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

    • TN0604N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3.

    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • GP2M005A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

    • GP2M005A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.