الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 30V 30A 8PQFN
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
30A (Ta), 120A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
61nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
5235pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
2.5W (Ta), 83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-PQFN (5x6)
حزمة / القضية :
8-PowerTDFN