الصانع :
GeneSiC Semiconductor
وصف :
DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
نوع الصمام الثنائي :
Silicon Carbide Schottky
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) :
650V
الحالي - متوسط تصحيح (io) :
14.6A (DC)
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا :
1.5V @ 15A
سرعة :
No Recovery Time > 500mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
0ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي :
5µA @ 650V
السعة @ Vr ، F :
1107pF @ 1V, 1MHz
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
TO-276
درجة حرارة التشغيل - مفرق :
-55°C ~ 250°C