BAS116E6327HTSA1 التسعير (USD) [2455275الأسهم قطعة]
- 1 pcs$0.01506
- 3,000 pcs$0.01472
- 6,000 pcs$0.01328
- 15,000 pcs$0.01154
- 30,000 pcs$0.01039
- 75,000 pcs$0.00923
- 150,000 pcs$0.00770
- رقم القطعة:
- BAS116E6327HTSA1
- الصانع:
- Infineon Technologies
- وصف مفصل:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
- الصانع المهلة القياسية:
- في المخزن
- مدة الصلاحية:
- سنة واحدة
- رقاقة من:
- هونج كونج
- بنفايات:
- طريقة الدفع او السداد:
-
- طريقة الشحن:
- فئات الأسرة:
- KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثنائيات - زينر - واحد, الثنائيات - مقومات الجسر, الثنائيات - مقومات - واحدة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة and الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات ...
- Competitive Advantage:
- We specialize in Infineon Technologies BAS116E6327HTSA1 electronic components. BAS116E6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS116E6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS116E6327HTSA1 سمات المنتج
رقم القطعة :
BAS116E6327HTSA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
سلسلة :
-
حالة الجزء :
Last Time Buy
نوع الصمام الثنائي :
Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) :
80V
الحالي - متوسط تصحيح (io) :
250mA (DC)
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا :
1.25V @ 150mA
سرعة :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) :
1.5µs
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي :
5nA @ 75V
السعة @ Vr ، F :
2pF @ 0V, 1MHz
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد :
SOT-23-3
درجة حرارة التشغيل - مفرق :
150°C (Max)
أحدث الأخبار
قد تكون أيضا مهتما ب
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
RURD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
أجزاء ساخنة
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54