Microsemi Corporation - JAN1N4491DUS

KEY Part #: K6479737

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثنائيات - مقومات - صفائف and وحدات سائق السلطة ...

Competitive Advantage:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N4491DUS electronic components. JAN1N4491DUS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N4491DUS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : JAN1N4491DUS

الصانع : Microsemi Corporation

وصف : DIODE ZENER 120V 1.5W D-5A

سلسلة : Military, MIL-PRF-19500/406

حالة الجزء : Active

الجهد - زينر (الترشيح) (Vz) : 120V

تفاوت : ±1%

أقصى القوة : 1.5W

المعاوقة (ماكس) (Zzt) : 400 Ohms

الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 250nA @ 96V

الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1V @ 200mA

درجة حرارة التشغيل : -65°C ~ 175°C

تصاعد نوع : Surface Mount

حزمة / القضية : SQ-MELF, A

حزمة جهاز المورد : D-5A

قد تكون أيضا مهتما ب

MMBD1705A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.
SMBD7000E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A
1SS181,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
BAV170E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array
BAV70E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA
BAV70WH6327XTSA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR

أجزاء ساخنة