رقم القطعة :
SCT2H12NZGC11
الصانع :
Rohm Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
تقنية :
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
1700V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
3.7A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 900µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
14nC @ 18V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
184pF @ 800V
تبديد الطاقة (ماكس) :
35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
175°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
TO-3PFM
حزمة / القضية :
TO-3PFM, SC-93-3