Infineon Technologies - IPI80CN10N G

KEY Part #: K6407189

[8625الأسهم قطعة]


    رقم القطعة:
    IPI80CN10N G
    الصانع:
    Infineon Technologies
    وصف مفصل:
    MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3.
    الصانع المهلة القياسية:
    في المخزن
    مدة الصلاحية:
    سنة واحدة
    رقاقة من:
    هونج كونج
    بنفايات:
    طريقة الدفع او السداد:
    طريقة الشحن:
    فئات الأسرة:
    KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الثايرستور - SCRs and الثايرستور - SCRs - وحدات ...
    Competitive Advantage:
    We specialize in Infineon Technologies IPI80CN10N G electronic components. IPI80CN10N G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI80CN10N G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPI80CN10N G سمات المنتج

    رقم القطعة : IPI80CN10N G
    الصانع : Infineon Technologies
    وصف : MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
    سلسلة : OptiMOS™
    حالة الجزء : Obsolete
    نوع FET : N-Channel
    تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
    استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 100V
    الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 13A (Tc)
    جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id، Vgs : 80 mOhm @ 13A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 12µA
    بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 11nC @ 10V
    Vgs (ماكس) : ±20V
    سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 716pF @ 50V
    ميزة FET : -
    تبديد الطاقة (ماكس) : 31W (Tc)
    درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 175°C (TJ)
    تصاعد نوع : Through Hole
    حزمة جهاز المورد : PG-TO262-3
    حزمة / القضية : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    قد تكون أيضا مهتما ب
    • ZVP3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.

    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • ZVN4210A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • IRLR3636PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.

    • SN7002NL6433HTMA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.

    • SN7002W L6433

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323.