الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
800V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
2.6A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 260µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
14nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
585pF @ 100V
تبديد الطاقة (ماكس) :
39W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة / القضية :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63