Vishay Semiconductor Diodes Division - RGL34JHE3/98

KEY Part #: K6457677

RGL34JHE3/98 التسعير (USD) [618527الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.05980
  • 5,000 pcs$0.05420

رقم القطعة:
RGL34JHE3/98
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - JFETs, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الثنائيات - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الثنائيات - زينر - واحد, الثايرستور - TRIACs and وحدات سائق السلطة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGL34JHE3/98 electronic components. RGL34JHE3/98 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGL34JHE3/98, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGL34JHE3/98 سمات المنتج

رقم القطعة : RGL34JHE3/98
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213
سلسلة : SUPERECTIFIER®
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 600V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 500mA
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.3V @ 500mA
سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 250ns
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 5µA @ 600V
السعة @ Vr ، F : 4pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : DO-213AA (Glass)
حزمة جهاز المورد : DO-213AA (GL34)
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 175°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • GL41YHE3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34KHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM