رقم القطعة :
IPP90R800C3XKSA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
900V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
6.9A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
800 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 460µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
42nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1100pF @ 100V
تبديد الطاقة (ماكس) :
104W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
PG-TO220-3-1