SMC Diode Solutions - 1N4007TA

KEY Part #: K6452434

1N4007TA التسعير (USD) [2872279الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.01288
  • 5,000 pcs$0.01287
  • 10,000 pcs$0.01094
  • 25,000 pcs$0.01030
  • 50,000 pcs$0.00965
  • 125,000 pcs$0.00858

رقم القطعة:
1N4007TA
الصانع:
SMC Diode Solutions
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الثنائيات - زينر - واحد, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت and الثايرستور - TRIACs ...
Competitive Advantage:
We specialize in SMC Diode Solutions 1N4007TA electronic components. 1N4007TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4007TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4007TA سمات المنتج

رقم القطعة : 1N4007TA
الصانع : SMC Diode Solutions
وصف : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 1000V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 1A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1V @ 1A
سرعة : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : -
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 5µA @ 1000V
السعة @ Vr ، F : 15pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع : Through Hole
حزمة / القضية : DO-204AL, DO-41, Axial
حزمة جهاز المورد : DO-41
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 125°C
قد تكون أيضا مهتما ب
  • MBRD6100CT-TP

    Micro Commercial Co

    6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER

  • GL41M-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM10-800-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-1000-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-600-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • RGL34K-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM