الصانع :
Texas Instruments
وصف :
MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
5.9A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
27 mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.7V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
5.1nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
380pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
3-PICOSTAR