إذا لم يكن موقعك مدرجًا ، فيرجى تحديد واحد مما يلي:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

إذا لم يكن موقعك مدرجًا ، فيرجى تحديد واحد مما يلي:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. الصفحة الرئيسية
  2. منتجات
  3. الدوائر المتكاملة
  4. ذاكرة
  5. TC58BVG1S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BVG1S3HBAI6

KEY Part #: K939716

TC58BVG1S3HBAI6 التسعير (USD) [26323الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$1.74077
رقم القطعة:
TC58BVG1S3HBAI6
الصانع:
Toshiba Memory America, Inc.
وصف مفصل:
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 3.3V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: واجهة - مسلسلات ، Deserializers, الخطية - مكبرات الصوت - الأجهزة ، OP أمبير ، العاز, المنطق - متعدد الهزاز, PMIC - عرض السائقين, رقائق IC, واجهة - أجهزة المودم - المرحلية والوحدات النمطية, المنطق - المترجمون ، المغيرون المستوى and PMIC - منظمات الفولت - منظمات التبديل DC DC ...
Competitive Advantage:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG1S3HBAI6 electronic components. TC58BVG1S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BVG1S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BVG1S3HBAI6 سمات المنتج

رقم القطعة : TC58BVG1S3HBAI6
الصانع : Toshiba Memory America, Inc.
وصف : IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
سلسلة : Benand™
حالة الجزء : Active
نوع الذاكرة : Non-Volatile
تنسيق الذاكرة : FLASH
تقنية : FLASH - NAND (SLC)
حجم الذاكرة : 2Gb (256M x 8)
تردد على مدار الساعة : -
اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : 25ns
وقت الوصول : 25ns
واجهة الذاكرة : Parallel
الجهد - العرض : 2.7V ~ 3.6V
درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 85°C (TA)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : 67-VFBGA
حزمة جهاز المورد : 67-VFBGA (6.5x8)

أحدث الأخبار

Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
قد تكون أيضا مهتما ب
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • 6116LA25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

أجزاء ساخنة