Vishay Semiconductor Diodes Division - GP10-4007E-E3/53

KEY Part #: K6457376

GP10-4007E-E3/53 التسعير (USD) [474173الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.07800
  • 9,000 pcs$0.07069

رقم القطعة:
GP10-4007E-E3/53
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL. Rectifiers 1000V 1.0A Glass Passivated TrimLeads
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - مقومات - صفائف, الثنائيات - مقومات - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الثايرستور - DIACs ، SIDACs, الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات, الثنائيات - RF and الثايرستور - SCRs - وحدات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GP10-4007E-E3/53 electronic components. GP10-4007E-E3/53 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP10-4007E-E3/53, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GP10-4007E-E3/53 سمات المنتج

رقم القطعة : GP10-4007E-E3/53
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
سلسلة : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 1000V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 1A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.1V @ 1A
سرعة : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 3µs
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 5µA @ 1000V
السعة @ Vr ، F : 8pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع : Through Hole
حزمة / القضية : DO-204AL, DO-41, Axial
حزمة جهاز المورد : DO-204AL (DO-41)
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 175°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • SS14-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt

  • ES1D-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt

  • ES2FHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE

  • ES2FHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE

  • ES2CHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • ES2AHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20ns SMB, UF Rect, SMD