Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM10-50HE3/97

KEY Part #: K6457769

BYM10-50HE3/97 التسعير (USD) [675586الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.05475
  • 10,000 pcs$0.04962

رقم القطعة:
BYM10-50HE3/97
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB. Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, وحدات سائق السلطة, الثنائيات - RF, الترانزستورات - الغرض الخاص, الترانزستورات - IGBTs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال and الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM10-50HE3/97 electronic components. BYM10-50HE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM10-50HE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM10-50HE3/97 سمات المنتج

رقم القطعة : BYM10-50HE3/97
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
سلسلة : SUPERECTIFIER®
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 50V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 1A
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.1V @ 1A
سرعة : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : -
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 10µA @ 50V
السعة @ Vr ، F : 8pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : DO-213AB, MELF (Glass)
حزمة جهاز المورد : DO-213AB
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 175°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • RGL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34BHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM