Diodes Incorporated - DMP3125L-7

KEY Part #: K6417942

DMP3125L-7 التسعير (USD) [955079الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.03873

رقم القطعة:
DMP3125L-7
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف مفصل:
MOSFET P-CHAN 30V SOT23.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - زينر - واحد, الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الثايرستور - SCRs, الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال and الترانزستورات - IGBTs - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Diodes Incorporated DMP3125L-7 electronic components. DMP3125L-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMP3125L-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMP3125L-7 سمات المنتج

رقم القطعة : DMP3125L-7
الصانع : Diodes Incorporated
وصف : MOSFET P-CHAN 30V SOT23
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع FET : P-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 2.5A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 95 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 3.1nC @ 4.5V
Vgs (ماكس) : ±20V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 254pF @ 25V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 650mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : SOT-23
حزمة / القضية : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

قد تكون أيضا مهتما ب
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.