الصانع :
Texas Instruments
وصف :
IC MOSFET DRVR DUAL HS 4A 8-DIP
التكوين مدفوعة :
Low-Side
نوع البوابة :
N-Channel, P-Channel MOSFET
الجهد - العرض :
4.5V ~ 15V
الجهد المنطقي - VIL ، VIH :
1V, 2V
التيار - خرج الذروة (المصدر ، المغسلة) :
4A, 4A
الجهد العالي الجانب - ماكس (التمهيد) :
-
ارتفاع / سقوط الوقت (الطباع) :
20ns, 15ns
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة / القضية :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
حزمة جهاز المورد :
8-PDIP