إذا لم يكن موقعك مدرجًا ، فيرجى تحديد واحد مما يلي:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

إذا لم يكن موقعك مدرجًا ، فيرجى تحديد واحد مما يلي:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. الصفحة الرئيسية
  2. منتجات
  3. الدوائر المتكاملة
  4. ذاكرة
  5. TC58NVG0S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc. - TC58NVG0S3HBAI6

KEY Part #: K940854

TC58NVG0S3HBAI6 التسعير (USD) [32393الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.92400
رقم القطعة:
TC58NVG0S3HBAI6
الصانع:
Toshiba Memory America, Inc.
وصف مفصل:
IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: واجهة - I / O موسعات, المنطق - المزالج, جزءا لا يتجزأ - ميكروكنترولر, الحصول على البيانات - التحكم باللمس, PMIC - PFC (تصحيح معامل القدرة), المنطق - متعدد الهزاز, المنطق - مولدات التكافؤ والمدققون and PMIC - منظمات الفولت - الأغراض الخاصة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58NVG0S3HBAI6 electronic components. TC58NVG0S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58NVG0S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NVG0S3HBAI6 سمات المنتج

رقم القطعة : TC58NVG0S3HBAI6
الصانع : Toshiba Memory America, Inc.
وصف : IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع الذاكرة : Non-Volatile
تنسيق الذاكرة : FLASH
تقنية : FLASH - NAND (SLC)
حجم الذاكرة : 1Gb (128M x 8)
تردد على مدار الساعة : -
اكتب دورة الوقت - كلمة ، صفحة : 25ns
وقت الوصول : 25ns
واجهة الذاكرة : Parallel
الجهد - العرض : 2.7V ~ 3.6V
درجة حرارة التشغيل : -40°C ~ 85°C (TA)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : 67-VFBGA
حزمة جهاز المورد : 67-VFBGA (6.5x8)

أحدث الأخبار

Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
قد تكون أيضا مهتما ب
  • NDS73PT9-16IT

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP.

  • IS25LQ032B-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON. NOR Flash 32Mb QSPI, WSON, RoHS

  • 25AA1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • CY62256NLL-70PXC

    Alliance Memory, Inc.

    256M SRAM 28 DIP. SRAM 256K 32K x 8 4.5-5.5V 28pin 600mil DIP Commercial (0 70 C) Low Power Asynch

  • AS6C62256A-70SCN

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256K, 4.5-5.5V, 70ns 32K x 8 Asynch SRAM

أجزاء ساخنة