رقم القطعة :
PMFPB8032XP,115
الصانع :
Nexperia USA Inc.
وصف :
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
20V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
2.7A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
8.6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
550pF @ 10V
ميزة FET :
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (ماكس) :
485mW (Ta), 6.25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
6-HUSON-EP (2x2)
حزمة / القضية :
6-UDFN Exposed Pad