رقم القطعة :
BSC110N15NS5ATMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 150V 76A 8TDSON
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
150V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
76A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
11 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.6V @ 91µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
35nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2770pF @ 75V
تبديد الطاقة (ماكس) :
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
PG-TDSON-8
حزمة / القضية :
8-PowerTDFN