الصانع :
ON Semiconductor
وصف :
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
30V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
21A (Ta), 35A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
3.9 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
118nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
5160pF @ 15V
تبديد الطاقة (ماكس) :
160W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
حزمة / القضية :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA