رقم القطعة :
IPS50R520CPAKMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO251-3
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
500V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
7.1A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
520 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
17nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
680pF @ 100V
تبديد الطاقة (ماكس) :
66W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد :
PG-TO251-3
حزمة / القضية :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA