Vishay Siliconix - SIHB12N50E-GE3

KEY Part #: K6393367

SIHB12N50E-GE3 التسعير (USD) [35558الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$1.09960
  • 10 pcs$0.99173
  • 100 pcs$0.79681
  • 500 pcs$0.61973
  • 1,000 pcs$0.51349

رقم القطعة:
SIHB12N50E-GE3
الصانع:
Vishay Siliconix
وصف مفصل:
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثنائيات - RF, الثنائيات - مقومات - واحدة, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF, الثنائيات - زينر - المصفوفات, الترانزستورات - IGBTs - وحدات, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت and الترانزستورات - Unijunction للبرمجة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB12N50E-GE3 electronic components. SIHB12N50E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB12N50E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB12N50E-GE3 سمات المنتج

رقم القطعة : SIHB12N50E-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 500V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 10.5A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±30V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 886pF @ 100V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 114W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : D²PAK (TO-263)
حزمة / القضية : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB