Microsemi Corporation - APT75GT120JU2

KEY Part #: K6532583

APT75GT120JU2 التسعير (USD) [2908الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$14.71441
  • 10 pcs$13.61222
  • 25 pcs$12.50836
  • 100 pcs$11.62540
  • 250 pcs$10.66889

رقم القطعة:
APT75GT120JU2
الصانع:
Microsemi Corporation
وصف مفصل:
IGBT 1200V 100A 416W SOT227.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - المصفوفات, الثايرستور - TRIACs, الثايرستور - DIACs ، SIDACs and الترانزستورات - IGBTs - وحدات ...
Competitive Advantage:
We specialize in Microsemi Corporation APT75GT120JU2 electronic components. APT75GT120JU2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT75GT120JU2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT75GT120JU2 سمات المنتج

رقم القطعة : APT75GT120JU2
الصانع : Microsemi Corporation
وصف : IGBT 1200V 100A 416W SOT227
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع IGBT : Trench Field Stop
ترتيب : Single
الجهد - انهيار جامع باعث (ماكس) : 1200V
الحالية - جامع (جيم) (ماكس) : 100A
أقصى القوة : 416W
Vce (on) (Max) @ Vge، Ic : 2.1V @ 15V, 75A
الحالية - قطع جامع (ماكس) : 5mA
سعة الإدخال (Cies) @ Vce : 5.34nF @ 25V
إدخال : Standard
NTC الثرمستور : No
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Chassis Mount
حزمة / القضية : ISOTOP
حزمة جهاز المورد : SOT-227

قد تكون أيضا مهتما ب
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.