الصانع :
Diodes Incorporated
وصف :
MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
250V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
205mA (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
3.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
14 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
3.45nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
73pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
1.2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
SOT-89-3