رقم القطعة :
IPB60R190C6ATMA1
الصانع :
Infineon Technologies
وصف :
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
حالة الجزء :
Not For New Designs
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
600V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
20.2A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 630µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
63nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
1400pF @ 100V
تبديد الطاقة (ماكس) :
151W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
D²PAK (TO-263AB)
حزمة / القضية :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB