الصانع :
Texas Instruments
وصف :
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
100V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
100A (Ta)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
9.4 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
35nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
2670pF @ 50V
تبديد الطاقة (ماكس) :
3.2W (Ta), 96W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع :
Surface Mount
حزمة جهاز المورد :
8-VSONP (5x6)
حزمة / القضية :
8-PowerTDFN