Vishay Semiconductor Diodes Division - GL34G/1

KEY Part #: K6437482

GL34G/1 التسعير (USD) [793899الأسهم قطعة]

  • 1 pcs$0.04916
  • 8,000 pcs$0.04892

رقم القطعة:
GL34G/1
الصانع:
Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف مفصل:
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.
الصانع المهلة القياسية:
في المخزن
مدة الصلاحية:
سنة واحدة
رقاقة من:
هونج كونج
بنفايات:
طريقة الدفع او السداد:
طريقة الشحن:
فئات الأسرة:
KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: وحدات سائق السلطة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة, الثنائيات - مقومات - صفائف, الترانزستورات - JFETs, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - واحدة ، قبل مت, الترانزستورات - IGBTs - المصفوفات and الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة ...
Competitive Advantage:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL34G/1 electronic components. GL34G/1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL34G/1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL34G/1 سمات المنتج

رقم القطعة : GL34G/1
الصانع : Vishay Semiconductor Diodes Division
وصف : DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
سلسلة : SUPERECTIFIER®
حالة الجزء : Active
نوع الصمام الثنائي : Standard
الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 400V
الحالي - متوسط ​​تصحيح (io) : 500mA
الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 1.2V @ 500mA
سرعة : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr) : 1.5µs
الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 5µA @ 400V
السعة @ Vr ، F : 4pF @ 4V, 1MHz
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة / القضية : DO-213AA (Glass)
حزمة جهاز المورد : DO-213AA (GL34)
درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 175°C

قد تكون أيضا مهتما ب
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • NSB8JT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8KT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM