الصانع :
Microsemi Corporation
وصف :
MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
تقنية :
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) :
1200V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية :
33A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs :
320 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs :
560nC @ 10V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS :
18200pF @ 25V
تبديد الطاقة (ماكس) :
960W (Tc)
درجة حرارة التشغيل :
-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع :
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد :
ISOTOP®
حزمة / القضية :
SOT-227-4, miniBLOC