Microsemi Corporation - 1N5809/TR

KEY Part #: K6447139

فئات الأسرة:: KEY Components Co.، LTD هو موزع المكونات الإلكترونية الذي يقدم فئات المنتجات بما في ذلك: الثايرستور - SCRs - وحدات, الثنائيات - مقومات الجسر, الثنائيات - RF, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - RF, الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - واحدة, الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف ، قبل ال, وحدات سائق السلطة and الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - المصفوفات ...

Competitive Advantage:: We specialize in Microsemi Corporation 1N5809/TR electronic components. 1N5809/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5809/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

رقم القطعة : 1N5809/TR

الصانع : Microsemi Corporation

وصف : UFRFRR

سلسلة : -

حالة الجزء : Active

نوع الصمام الثنائي : Standard

الجهد - عكس العاصمة (vr) (ماكس) : 100V

الحالي - متوسط تصحيح (io) : 3A

الجهد - إلى الأمام (VF) (ماكس) @ إذا : 875mV @ 4A

سرعة : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

وقت الاسترداد العكسي (trr) : 30ns

الحالي - عكس التسرب @ الواقع الافتراضي : 5µA @ 100V

السعة @ Vr ، F : 60pF @ 10V, 1MHz

تصاعد نوع : Through Hole

حزمة / القضية : B, Axial

حزمة جهاز المورد : B, Axial

درجة حرارة التشغيل - مفرق : -65°C ~ 175°C

قد تكون أيضا مهتما ب

DGS13-025CS

IXYS

DIODE SCHOTTKY 250V 21A TO252AA.
MA3X0280BL

Panasonic Electronic Components

DIODE GEN PURP 6V 150MA MINI3.
CSD10060G

Cree/Wolfspeed

DIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO263.
VS-8EWX06FN-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers 8A 600V 15ns Hyperfast
NSB8MTHE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB.
NSB8KTHE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB.

أجزاء ساخنة